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MOS管DS间有寄生二极管,如何测试BVDSS

好多MOS 管工艺 D S 间有反向二极管,在测试BVDSS的时候,如何才能测得实际值呢,举例件ID=1MA, Vclamp=600V 。请高手指点,不懂的别瞎说
提问者:网友 2018-07-22
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不是好多mos有反向二极管,而是大部分都有。测BVdss,不管有没有二极管,测试都是一样的。ID=1mA , Vclamp=600V,就是Device GS short,Vd电压从0-600V 往上加,mos管DS有电压,就会有漏电流,只是电压低时,电流太小,pA级,或者测不到,随着电压越来越高,漏电流也越来越大,当漏电流达到1mA的时候,DS加的电压,我们叫BVdss。Clamp=600V,是为了防止有device开路(内部断线或没有die),电压会无限往上加,损坏测试系统,所以最高电压设定只能加到600V,也就是不管Id有没有1mA,Vds到600后,就不继续往上加了。好的Device大概400V左右。如果产品有问题,漏电流大,自然BVds就达不到400V(或者设计时的值)。
回答者:网友
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